校正晶圓標準片

       校正晶圓標準片是1款符合NIST(美國國家標準研究所）標準，內含尺寸證書的PSL晶圓標準片。該校正晶圓標準片標準片表面由單分散聚苯乙烯乳膠珠沉積而成，并于50nm至10微米尺寸范圍內的形成窄峰寬的尺峰來校準設備，完成Tencor Surfscan 6220和6440，KLA-Tencor Surfscan SP1，SP2和SP3晶圓檢測系統等設備的粒徑響應曲線校正。校正晶圓標準片科以全片沉積的方式進行沉積，即整個晶圓上只有單一粒徑?；蛘咝ＵA標準片以多點的沉積方式進行沉積，形成單一或多種尺寸標準峰，并精確分布在校正晶圓標準片內。

       我司提供使用標準粒子的校準晶圓標準片。這可以幫助客戶完成對設備的尺寸精度的校正，包括KLA-Tencor Surfscan SP1、KLA-Tencor Surfscan SP2、KLA-Tencor Surfscan SP3、KLA-Tencor Surfscan SP5、KLA-Tencor Surscan SP5xp、Surfscan 6420、Surfscan 6220、Surfscan 6220、ADE、Hitachi和Topcon SSIS等工具和晶圓檢測系統。我們的 2300 XP1 顆粒沉積系統可以使用 PSL乳膠小球（聚苯乙烯乳膠標準顆粒）和二氧化硅標準顆粒，在 100mm、125mm、150mm、200mm 和 300mm 硅晶圓上沉積。

        工廠的半導體計量設備管理員使用這些PSL校正晶圓標準片來校準由KLA-Tencor，Topcon，ADE和Hitachi的掃描表面檢測系統（SSIS，Sufface Scan Inspection System）的尺寸響應曲線。PSL晶圓標準片亦用于評估Tencor Surfscan掃描硅片或薄膜的均勻性。

       校正晶圓標準片用于驗證和控制SSIS等設備的兩項性能規格：特定顆粒尺寸下的尺寸精度和整片掃描中晶圓掃描的均一性。校正晶圓標準片通常以單一種粒徑（通常于50nm至12微米之間）的全沉積形式提供。通過在晶圓上沉積，即完全沉積，晶圓檢測系統可以鎖定顆粒峰，操作員可以輕松確定SSIS等工具是否在此尺寸下符合性能規格。例如，如果晶圓標準片為100nm，并且 SSIS 掃描到95nm或105nm 處的峰值，因此可以判定SSIS超限，此時可以使用100nm PSL 晶圓標準片進行校正。掃描晶圓標準片還可以告訴技術人員SSIS在PSL晶圓標準片中的檢測效果如何，從而在均勻沉積的晶圓標準片中尋找顆粒檢測的相似性。晶圓標準片的表面以特定的PSL尺寸沉積，不留下任何未沉積在PSL小球的晶圓部分。在掃描PSL晶圓標準片期間，掃描晶圓的均勻性應表明SSIS在掃描過程中沒有忽略晶圓的某些區域。因為2個不同SSIS設備（沉積點和客戶點）的計數效率不同，全沉積晶圓上的計數精度是主觀片面的，有時差異高達50%。因此，同一標準片，在SSIS設備1測量到在204nm粒徑有2500計數，而在客戶處的SSIS設備2掃描得到計數值位于1500至3000。2臺SSIS設備間的計數差異的原因是內部PMT（光電倍增器管）的激光效率不同。由于兩臺SSIS設備的激光功率和激光束強度差異，兩臺不同晶圓檢測系統之間的計數精度通常不同。


                      以上兩圖為PSL校正晶圓標準片有兩種類型的沉積：全片沉積和多點沉積。

      聚苯乙烯乳膠珠（PSL球）或二氧化硅納米顆粒均可以沉積。

     多點沉積的PSL晶圓標準片用于在一個尺寸峰或多個尺寸峰下校準SSIS設備的尺寸精度。

多點沉積的校正晶圓標準片具有以下優點：沉積在晶圓上的PSL小球形成的斑點清晰可見，并且斑點周圍的剩余晶圓表面沒有任何PSL小球。優點是，隨著時間的推移，人們易于判斷校正晶圓標準片是否因為太臟而無法用作尺寸參考標準。多點沉積將所需的PSL小球沉積到晶圓表面上的特定斑點位置;因此，因此表面是非常少的PSL球體和帶來更高的計數精度。我司采用 DMA（差分遷移率分析儀）技術的 2300XP1 型，以確保沉積的PSL小球的尺寸峰準確無誤。1臺CPC用于控制計數準確性。DMA旨在從粒子流中去除不需要的顆粒，如雙倍粒徑顆粒和三倍粒徑顆粒。DMA還設計用于去除尺寸峰左側和右側不需要的顆粒;從而確保單分散的顆粒峰沉積在晶圓表面。在沒有DMA技術的情況下，允許在晶圓表面沉積不需要的雙倍粒徑、三倍粒徑和背景顆粒沉積以及所需的粒徑。