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          俄歇電子能譜及低能電子衍

          • 俄歇電子能譜及低能電子衍
          俄歇電子能譜及低能電子衍

          俄歇電子能譜及低能電子衍

          • 產品描述:俄歇電子能譜及低能電子衍射分析系統
          俄歇電子能譜及低能電子衍射分析系統
          俄歇電子能譜及低能電子衍射分析系統,又稱俄歇電子能譜AES及低能電子衍射LEED樣品表面深度分析系統?;诙硇娮幽茏VAES、低能電子衍射LEED、及氬離子濺射深度分布的分析系統,完成對薄膜及合金的元素組成和深度分布的分析。
          非接觸式測量薄膜及合金元素組成。
          帶樣品預抽真空室 (load-lock腔室)。

          特性:
          -對原子結構,元素組成和厚度分析達到“亞納米級”精度
          -大范圍樣品分析
          -半自動化操作


          系統特性
          俄歇電子能譜AES分析器
          分析器型號-延遲型區域分析器,自帶同軸電子槍
          能量分辨率:<5%
          工作距離 10mm
          檢測器: 1e7至1e8增幅范圍的電子倍增器通道
          安裝法蘭-4.5英寸O.D.標準CF法蘭(NW63CF)

          電子槍:
          型號 :帶可調焦距和束斑直徑的雙靜電透鏡
          束流電壓:0-3KV
          束流電流:最大50uA
          束流直徑:最大800um
          燈絲:鎢燈絲
          磁罩:帶前置保護殼的Mu罩

          深度離子濺射槍
          離子源  在磁場內電子沖擊形成離子
          離子化陰極  鎢-錸燈絲
          直接安裝于70mmO.D.CF法蘭
          束流電流:最大10 uA
          束流能量:0-3keV
          束流尺寸;直徑范圍5至25mm
          束流均勻度:<5%
          氣體輸入:經過泄漏閥氣體直接輸入至離子源
          安裝法蘭:23/4英寸(70mm)O.D.CF法蘭

          樣品傳遞操作
          樣品尺寸:尺寸從10mm-20mm
          樣品置入:單個樣品置入
          樣品傳輸:線型磁動樣品傳輸臂

          真空系統
          腔體:100mm焊接超高真空腔體(304不銹鋼)
          真空泵:60L/sec離子泵和50l/sec的分子泵,配備匹配的前級泵
          真空規:寬量程真空規

          真空兼容:超高真空材料
          烘烤:真空下可最高烘烤至250度

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