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          磁控濺射儀
          

          
          
          
            
            

              
           
              
          • 磁控濺射儀
              
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              磁控濺射儀
                  
            
          

          
          

          
          
          
            
          磁控濺射儀
          
            
            
             
            • 磁控濺射儀
            • 優異的薄膜均一性
            • 出色的RF和DC濺射靶槍系統
            
            
          
          
          

          
          
           

          磁控濺射儀
          
	襯底尺寸：4'為主，6'兼容。 
          
	濺射金屬膜厚均勻性要求：≤±5%。 
          
	靶位：4個。 
          
	極限壓力：<6.6×10-6e Pa。 
          
	靶材尺寸：3英寸。 
          
	可濺射磁性材料。 
          
	靶與樣品距離可調，且可以在30度角度內擺頭。 
          
	配置load-lock，可放置5片6英寸樣品，在高真空狀態下，由電動馬達分別傳送每片樣品，順序濺射每片樣品，逐一完成5片濺射鍍膜。 
          
	樣品臺可加熱至750度，可旋轉。 
          
	全自動真空度控制模塊。 
          
	氣路：Ar、O2、N2。 
          
	射頻電源：2個，每個600W。 
          
	直流電源：2個，每個1000W 

          
          
          

          
          
            上一個:沒有了！
            下一個:超高真空磁控濺射系統
          
          

        
          

        
          
          
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